Name: IRF9510STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF9510STRLPBFTR-ND
Price: 1.776 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF9510STRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF9510STRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF9510STRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF9510STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF9510STRLPBF
Description	MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 4 A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9510STRLPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF9510