Name: 2N7002K-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2N7002K-T1-GE3TR-ND
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

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2N7002K-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	2N7002K-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 2N7002K-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 2N7002K-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	2N7002K-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2N7002K-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	30 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	2N7002