2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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2N7002E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	2N7002E-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface TO-236
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	240mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3ohms à 250mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	21 pF @ 5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-236
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	2N7002

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Bande et bobine