Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 43.428 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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TW027U65C,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TW027U65CRQTR-ND - Bande et bobine 264-TW027U65CRQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TW027U65C,RQ
Description	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 57 A (Tc) 156W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 3mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +25V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2288 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)	Boîtier fournisseur TOLL
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier 8-PowerSFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 29A, 18V