Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
329 472
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02484 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
57 875
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03225 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
CST3
SC-101, SOT-883
8 336
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03772 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
5 719 577
En stock
1 : 0,30000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05174 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mohms à 800mA, 4,5V
1V à 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SSM
SC-75, SOT-416
99 776
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07163 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
34 238
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07016 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
1,8V, 4,5V
56mohms à 2 A, 4,5V
1V à 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V, -8V
200 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
137 996
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
71mohms à 3A, 10V
2V à 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
55 582
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
15 018
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,06343 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mohms à 800mA, 4,5V
1V à 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
478 168
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08453 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
138 034
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08453 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2 A (Ta)
4V, 10V
300mohms à 1A, 10V
2V à 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
21 528
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09429 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
22,1mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
304 961
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10114 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
17,6mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
36 445
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,09711 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
1,8 A (Ta)
1,8V, 8V
195mohms à 1A, 8V
1,2V à 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
ES6
SOT-563, SOT-666
35 803
En stock
1 : 0,53000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12117 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
5,5 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
UFM
3-SMD, broches plates
17 003
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12770 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,2 A (Ta)
1,5V, 4V
28mohms à 3A, 4V
1V à 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
UFM
3-SMD, broches plates
17 404
En stock
1 : 0,57000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13030 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
14 A (Ta)
-
9,1mohms à 4A, 8V
1V à 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-UDFNB (2x2)
6-WDFN plot exposé
35 574
En stock
1 : 0,66000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15327 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2 A (Ta)
3,3V, 10V
300mohms à 1A, 10V
2V à 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
26 159
En stock
1 : 0,66000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15327 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
15 A (Ta)
4,5V, 10V
8,9mohms à 4A, 10V
2,1V à 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montage en surface
6-UDFNB (2x2)
6-WDFN plot exposé
16 799
En stock
1 : 0,66000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15327 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
10 A (Ta)
4V, 10V
20mohms à 4A, 10V
2,2V à 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V, -25V
1150 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-UDFNB (2x2)
6-WDFN plot exposé
56 740
En stock
1 : 0,70000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16576 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
3,5 A (Ta)
4,5V, 10V
69mohms à 2A, 10V
2,5V à 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1,2W (Ta)
175°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
2 233
En stock
1 : 0,85000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20474 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
3,5 A (Ta)
4V, 10V
134mohms à 1A, 10V
2V à 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V, -20V
660 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
12 744
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22848 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
26 A (Tc)
4,5V, 10V
11,4mohms à 13A, 10V
2,5V à 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW (Ta), 61W (Tc)
175°C
-
-
Montage en surface
8-TSON Advance (3,1x3,1)
8-PowerVDFN
4 839
En stock
1 : 0,94000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23083 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
48 A (Tc)
4,5V, 10V
9,7mohms à 15A, 4,5V
2,4V à 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP Advance (5x5)
8-PowerVDFN
13 252
En stock
1 : 0,97000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24137 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
34 A (Tc)
6V, 10V
19mohms à 17A, 10V
3,5V à 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW (Ta), 57W (Tc)
175°C
-
-
Montage en surface
8-TSON Advance (3,1x3,1)
8-PowerVDFN
Affichage de
sur 1 084

Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.