Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.132 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPM1R908QM,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Bande et bobine 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPM1R908QM,LQ
Description	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9mohms à 70A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA
Série U-MOSX-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 108 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10500 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26A (Ta), 238A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN