Name: TRS12V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS12V65H,LQTR-ND
Price: 5.676 EUR
Availability: InStock

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TRS12V65H,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TRS12V65H,LQTR-ND - Bande et bobine 264-TRS12V65H,LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TRS12V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TRS12V65H,LQ
Description	DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 12A Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Courant - Fuite inverse à Vr 120 µA @ 650 V
Statut du composant Actif	Capacité à Vr, F 778pF à 1V, 1MHz
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Type de montage Montage en surface
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V	Boîtier 4-VSFN plot exposé
Courant - Moyen redressé (Io) 12A	Boîtier fournisseur 4-DFN-EP (8x8)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.35 V @ 12 A	Température de fonctionnement - Jonction 175°C