Name: TK9A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A60D(STA4QM)-ND
Price: 2.772 EUR
Availability: InStock

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TK9A60D(STA4,Q,M)
Numéro de produit DigiKey	TK9A60D(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK9A60D(STA4,Q,M)
Description	MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK9A60D(STA4,Q,M) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	830mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK9A60

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,31000 €	2,31 €
50	1,13880 €	56,94 €
100	1,02530 €	102,53 €
500	0,82612 €	413,06 €
1 000	0,76210 €	762,10 €
2 000	0,70829 €	1 416,58 €
5 000	0,70392 €	3 519,60 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.