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IPAN60R650CEXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IPAN60R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPAN60R650CEXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPAN60R650CEXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 9,9 A (Tc) 28W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPAN60R650CEXKSA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 200µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 28W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-FP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 2,4A, 10V |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 444 | IPA60R650CEXKSA1-ND | 1,46000 € | Recommandation fabricant |
| FCPF850N80Z | onsemi | 753 | FCPF850N80Z-ND | 3,37000 € | Similaire |
| STF10N62K3 | STMicroelectronics | 0 | STF10N62K3-ND | 0,77915 € | Similaire |
| TK7A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 48 | TK7A65WS5X-ND | 2,18000 € | Similaire |
| TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 17 | TK8A65D(STA4QM)-ND | 2,84000 € | Similaire |
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