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TK80S06K3L(T6L1,NQ est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TK80S06K3L(T6L1,NQ | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TK80S06K3L(T6L1NQ-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TK80S06K3L(T6L1,NQ |
Description | MOSFET N-CH 60V 80A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 80 A (Ta) 100W (Tc) Montage en surface DPAK+ |
Modèles EDA/CAO | TK80S06K3L(T6L1,NQ Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4200 pF @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur DPAK+ |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 40A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TK90S06N1L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 6 690 | 264-TK90S06N1LLXHQCT-ND | 2,05000 € | Similaire |
| AOD2606 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1477-2-ND | 0,64134 € | Similaire |
| DMTH6005LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMTH6005LK3Q-13DICT-ND | 1,68000 € | Similaire |
| IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | 7 360 | IPD053N06NATMA1CT-ND | 1,82000 € | Similaire |
| IRLR3636TRPBF | Infineon Technologies | 23 597 | IRLR3636TRPBFCT-ND | 2,09000 € | Similaire |
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