Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.508 EUR
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR3636TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLR3636TRPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLR3636TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 4.5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3779 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 143W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRLR3636
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,8mohms à 50A, 10V