Name: DMTH6005LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6005LK3Q-13DITR-ND
Price: 2.016 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMTH6005LK3Q-13
Numéro de produit DigiKey	DMTH6005LK3Q-13DITR-ND - Bande et bobine DMTH6005LK3Q-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMTH6005LK3Q-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6005LK3Q-13
Description	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 90 A (Tc) 2,1W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 47.1 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2962 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur TO-252-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,6mohms à 50A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DMTH6005

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Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMTH6005LK3-13	Diodes Incorporated	19 654	DMTH6005LK3-13DICT-ND	1,56000 €	Équivalent paramétrique
FDD86569-F085	onsemi	1 337	FDD86569-F085CT-ND	1,60000 €	Similaire
SQD97N06-6M3L_GE3	Vishay Siliconix	1 054	SQD97N06-6M3L_GE3CT-ND	2,18000 €	Similaire

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