Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 3.204 EUR
Availability: InStock

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TJ90S04M3L,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Bande et bobine 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TJ90S04M3L,LQ
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 172 nC @ 10 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) +10V, -20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7700 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 180W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur DPAK+
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 45A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63