Name: TJ60S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND
Price: 2.388 EUR
Availability: InStock

Canal P 60 V 60 A (Ta) 100W (Tc) Montage en surface DPAK+

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TJ60S06M3L,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-TJ60S06M3LLXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TJ60S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TJ60S06M3L,LXHQ
Description	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 60 A (Ta) 100W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TJ60S06M3L,LXHQ Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 156 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) +10V, -20V
Série U-MOSVI	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7760 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Ta)	Boîtier fournisseur DPAK+
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,2mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base TJ60S06
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA