Name: SSM6J801R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J801RLFTR-ND
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

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SSM6J801R,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J801RLFTR-ND - Bande et bobine SSM6J801RLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J801RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J801R,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J801R,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12.8 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) +6V, -8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 840 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,5W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP-F
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)	Boîtier 6-SMD, sorties plates
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SSM6J801
Rds On (max.) à Id, Vgs 32,5mohms à 3A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,40000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,48000 €

SSM6J801R,LF