6 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
62 504
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06407 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
40 524
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06207 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
14 329
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08109 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
22,1mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
510 820
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07408 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
266 759
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08910 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
17,6mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
DFN2020MD-6
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
38 453
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17079 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
43mohms à 6A, 10V
2,7V à 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
DFN2020MD-6
6-UDFN plot exposé
30 649
En stock
1 : 0,66000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16164 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4V, 10V
36mohms à 5A, 10V
2,5V à 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1,2W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
2DB1184Q-13
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
5 897
En stock
117 500
Usine
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,16143 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
68mohms à 12A, 10V
3V à 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2,12W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
25 104
En stock
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19900 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
44mohms à 6A, 10V
2,5V à 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
426 pF @ 30 V
-
2,8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-DFN (2x2)
6-UDFN plot exposé
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
9 088
En stock
1 : 1,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,35446 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
26mohms à 6A, 4,5V
1,5V à 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1,6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SuperSOT™-6
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SI9407BDY-T1-GE3
SI4850EY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Vishay Siliconix
4 413
En stock
1 : 1,99000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,70169 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
22mohms à 6A, 10V
3V à 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1,7W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
PG-TO252-3
SPD06N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
3 049
En stock
1 : 2,04000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,69896 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
800 V
6 A (Ta)
10V
900mohms à 3,8A, 10V
3,9V à 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
15 170
En stock
1 : 2,94000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,90573 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
GaNFET (nitrure de gallium)
100 V
6 A (Ta)
5V
30mohms à 6A, 5V
2,5V à 1,2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V, -4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
MATRICE
MATRICE
SOT-23-3
DMN2040U-13
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
7 639
En stock
290 000
Usine
1 : 0,28000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,07175 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
25mohms à 8,2A, 4,5V
1,2V à 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
15 560
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07208 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V, -8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
TSOT-26
DMG6402LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
22 793
En stock
1 584 000
Usine
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06807 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
30mohms à 7A, 10V
2V à 250µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1,75W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TSOT-26
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
21 394
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06407 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
30,1mohms à 4A, 4,5V
1V à 1mA
16.6 nC @ 4.5 V
±10V
1030 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
SOT-23-3
DMN2040U-7
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
3 408
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07196 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
25mohms à 8,2A, 4,5V
1,2V à 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
35 059
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08363 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
28mohms à 5A, 10V
2,5V à 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
TL431BFDT-QR
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
129 525
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07780 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
21mohms à 6A, 10V
2V à 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW (Ta), 6,94W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
PMV19XNEAR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 695
En stock
1 : 0,48000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12282 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
24mohms à 6A, 4,5V
900mV à 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±8V
1150 pF @ 15 V
-
610mW (Ta), 8,3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2DB1184Q-13
DMN4040SK3-13
MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
3 578
En stock
175 000
Usine
1 : 0,49000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,13614 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
30mohms à 12A, 10V
3V à 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
945 pF @ 20 V
-
1,71W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
12 849
En stock
1 : 0,50000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10912 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+6V, -12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
AO3422
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
777 676
En stock
1 : 0,53000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09683 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
24mohms à 6A, 10V
1V à 1mA
8.8 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variable
12 894
En stock
1 : 0,54000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15717 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
27,6mohms à 4A, 10V
2,5V à 1mA
10.1 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
UFM
3-SMD, broches plates
Affichage de
sur 202

6 A (Ta) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.