Name: SSM3J375F,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J375F,LXHFTR-ND
Price: 0.492 EUR
Availability: InStock

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SSM3J375F,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3J375F,LXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3J375F,LXHFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J375F,LXHF
Description	AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface S-mini
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+6V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	270 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	S-mini
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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