Name: SSM3J15FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FULFTR-ND
Price: 0.216 EUR
Availability: InStock

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SSM3J15FU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3J15FULFTR-ND - Bande et bobine SSM3J15FULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3J15FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J15FU,LF
Description	MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface USM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J15FU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12ohms à 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,7V à 100µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9.1 pF @ 3 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	USM
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	SSM3J15

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