Name: NVMFS2D3P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND
Price: 3.924 EUR
Availability: InStock

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NVMFS2D3P04M8LT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS2D3P04M8LT1G
Description	MV8 P INITIAL PROGRAM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3,8W (Ta), 205W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFS2D3P04M8LT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31A (Ta), 222A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,2mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 2,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	157 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5985 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 205W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties