Name: NTR1P02T1G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02T1GOSTR-ND
Price: 0.516 EUR
Availability: InStock

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NTR1P02T1G
Numéro de produit DigiKey	NTR1P02T1GOSTR-ND - Bande et bobine NTR1P02T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTR1P02T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTR1P02T1G
Description	MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 1 A (Ta) 400mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTR1P02T1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	165 pF @ 5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	400mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	NTR1P02

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