Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.296 EUR
Availability: InStock

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NTF6P02T3G
Numéro de produit DigiKey	NTF6P02T3GOSTR-ND - Bande et bobine NTF6P02T3GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTF6P02T3G
Description	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 10 A (Ta) 8,3W (Ta) Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTF6P02T3G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1200 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	8,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	NTF6P02