Name: MGSF2N02ELT1G
Brand: onsemi
SKU: MGSF2N02ELT1GOSTR-ND
Price: 0.564 EUR
Availability: InStock

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MGSF2N02ELT1G
cms-digikey-product-number	MGSF2N02ELT1GOSTR-ND - Bande et bobine MGSF2N02ELT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MGSF2N02ELT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	MGSF2N02ELT1G
cms-description	MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
cms-standard-lead-time	11 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 20 V 2,8 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	MGSF2N02ELT1G Modèles

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.5 nC @ 4 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	150 pF @ 5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	MGSF2

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En stock: 8 970

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine