2,8 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
64 334
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04574 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mohms à 3,6A, 4,5V
1V à 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
197 905
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05816 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
1,8V, 4,5V
74mohms à 2,8A, 4,5V
900mV à 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDT86106LZ
NDT014L
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
onsemi
6 678
En stock
60 000
Usine
1 : 1,27000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,34083 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
160mohms à 3,4A, 10V
3V à 250µA
5 nC @ 4.5 V
±20V
214 pF @ 30 V
-
3W (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-223-4
TO-261-4, TO-261AA
TL431BFDT-QR
PMV65XPEAR
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
145 277
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10208 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
78mohms à 2,8A, 4,5V
1,25V à 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
618 pF @ 10 V
-
480mW (Ta), 6,25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DT2042-04SOQ-7
ZXMN6A08E6TA
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Diodes Incorporated
20 968
En stock
1 : 0,88000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25648 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
80mohms à 4,8A, 10V
1V à 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
459 pF @ 40 V
-
1,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-26
SOT-23-6
AO3422
AOSS21319C
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
26 052
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07780 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
100mohms à 2,8A, 10V
2,2V à 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
320 pF @ 15 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variable
SOT-323
DMN2065UW-7
MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
Diodes Incorporated
15 010
En stock
162 000
Usine
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07573 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
1,5V, 4,5V
56mohms à 2 A, 4,5V
1V à 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
430mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
MGSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
onsemi
16 581
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09058 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
85mohms à 3,6A, 4,5V
1V à 250µA
3.5 nC @ 4 V
±8V
150 pF @ 5 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT223-4
ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Infineon Technologies
1 708
En stock
1 : 0,92000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,26864 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,8 A (Ta)
10V
125mohms à 2,8A, 10V
4V à 520µA
20.2 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 30 V
-
1,8W (Ta), 4,2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
TL431BFDT-QR
PMV74EPER
MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
10 985
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08250 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
90mohms à 2,8A, 10V
3V à 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
356 pF @ 15 V
-
510mW (Ta), 6,4W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DFN2020MD-6
PMPB95ENEAX
MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
6 332
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13362 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
105mohms à 2,8A, 10V
2,7V à 250µA
14.9 nC @ 10 V
±20V
504 pF @ 40 V
-
1,6W (Ta), 15,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
DFN2020MD-6
6-UDFN plot exposé
4-XFBGA
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
7 150
En stock
1 : 0,54000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13541 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
2,8 A (Ta)
1,8V, 4,5V
43mohms à 1A, 4,5V
1V à 250µA
17 nC @ 8 V
±8V
-
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-Microfoot
4-XFBGA
SOT 363
DMN2075UDW-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
Diodes Incorporated
2 950
En stock
24 000
Usine
1 : 0,47000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09327 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
1,5V, 4,5V
48mohms à 3A, 4,5V
1V à 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DFN2020MD-6
PMPB215ENEA/FX
MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Nexperia USA Inc.
2 875
En stock
1 : 0,60000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13412 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
230mohms à 1,9A, 10V
2,7V à 250µA
7.2 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 40 V
-
1,6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
DFN2020MD-6
6-UDFN plot exposé
3 000
En stock
1 : 0,80000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17039 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,8 A (Ta)
-
-
-
-
±20V
-
-
-
-
-
-
Montage en surface
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
SL2302
SL2302
20V 3.5A 1W 60M@4.5V,2.8A 1.5V 1
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3 000
En stock
3 000 : 0,02242 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
45mohms à 3,6A, 4,5V
1,2V à 50µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 10 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AM2358NE
AM2358NE
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT-23
Analog Power Inc.
3 475
Marketplace
1 : 0,21000 €
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,8 A (Ta)
4,5V, 10V
92mohms à 2,5A, 10V
1V à 250µA
4.2 nC @ 4.5 V
±20V
311 pF @ 15 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN338P
FDN338P
20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
UMW
4 685
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13031 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301A
SI2301A
20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
UMW
1 303
En stock
1 : 0,48000 €
Bande coupée (CT)
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
70mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
405 pF @ 10 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTLGD3502NT2G
NTLGF3501NT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
onsemi
0
En stock
6 000
Marketplace
Obsolète
Bande et bobine
En vrac
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mohms à 3,4A, 4,5V
2V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
275 pF @ 10 V
-
1,14W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-DFN (3x3)
6-VDFN plot exposé
FDN338P-EV
FDN338P-EV
MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
EVVO
3 000
En stock
3 000 : 0,12408 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT223-3L
IRFL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Infineon Technologies
3 893
En stock
Obsolète
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
2,8 A (Ta)
10V
75mohms à 2,8A, 10V
4V à 250µA
18.3 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
NTLGD3502NT2G
NTLGF3501NT2G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
onsemi
0
En stock
192 000
Marketplace
Actif
Bande et bobine
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mohms à 3,4A, 4,5V
2V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
275 pF @ 10 V
-
1,14W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-DFN (3x3)
6-VDFN plot exposé
AM2337P
AM2337P
MOSFET P-CH -30V 2.8A SOT-23
Analog Power Inc.
4 300
Marketplace
1 : 0,18000 €
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,5A, 4,5V
400mV à 250µA
8.4 nC @ 4.5 V
±8V
474 pF @ 15 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
39 665
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10023 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
120mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
14.5 nC @ 4.5 V
±8V
880 pF @ 6 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 53

2,8 A (Ta) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.