
FDS4465-G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 488-FDS4465-GTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDS4465-G |
Description | MOSFET P-CH 20V 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 13,5 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8,5mohms à 13,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 120 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 8237 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 1,2W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier |

