8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
SI4403DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC Vishay Siliconix	60 773 En stock	1 : 0,76000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,18701 € Bande et bobine	TrenchFET® Gen III	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	15,4 A (Tc)	1,8V, 4,5V	14mohms à 9A, 4,5V	1V à 250µA	99 nC @ 8 V	±8V	3250 pF @ 10 V	-	5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF8714TRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies	27 622 En stock	1 : 0,82000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,18969 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	14 A (Ta)	4,5V, 10V	8,7mohms à 14A, 10V	2,35V à 25µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1020 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SO	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
AO4576 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6 825 En stock	1 : 0,84000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,20285 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	5,8mohms à 20A, 10V	2,2V à 250µA	22.5 nC @ 10 V	±20V	951 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO Vishay Siliconix	14 468 En stock	1 : 0,87000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,21598 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	7,2 A (Tc)	4,5V, 10V	45mohms à 5A, 10V	2,5V à 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	970 pF @ 20 V	-	4,2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
AO4484 MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	45 247 En stock	1 : 0,88000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,21341 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	10 A (Ta)	4,5V, 10V	10mohms à 10A, 10V	3V à 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	1950 pF @ 20 V	-	1,7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF8736TRPBF MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Infineon Technologies	27 817 En stock	1 : 0,94000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,22412 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	18 A (Ta)	4,5V, 10V	4,8mohms à 18A, 10V	2,35V à 50µA	26 nC @ 4.5 V	±20V	2315 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SO	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS4685 MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC onsemi	9 En stock 49 383 Marketplace	1 : 0,95000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,22308 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	8,2 A (Ta)	4,5V, 10V	27mohms à 8,2A, 10V	3V à 250µA	27 nC @ 5 V	±20V	1872 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS9435A MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC onsemi	22 644 En stock	1 : 0,98000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,23182 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	5,3 A (Ta)	4,5V, 10V	50mohms à 5,3A, 10V	3V à 250µA	14 nC @ 10 V	±25V	528 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
AOSP21313C MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	17 960 En stock	1 : 0,98000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,24234 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	7 A (Ta)	4,5V, 10V	32mohms à 7A, 10V	2,2V à 250µA	33 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS4435BZ MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC onsemi	44 968 En stock	1 : 0,99000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,23531 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	8,8 A (Ta)	4,5V, 10V	20mohms à 8,8A, 10V	3V à 250µA	40 nC @ 10 V	±25V	1845 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
DMP2022LSS-13 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP Diodes Incorporated	19 226 En stock	1 : 1,02000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,26175 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	10 A (Ta)	2,5V, 10V	13mohms à 10A, 10V	1,1V à 250µA	56.9 nC @ 10 V	±12V	2444 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SO	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Vishay Siliconix	53 640 En stock	1 : 1,03000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,26291 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	11,4 A (Tc)	4,5V, 10V	24mohms à 9,1A, 10V	3V à 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	1350 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS6375 MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC onsemi	1 156 En stock	1 : 1,05000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,25175 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	24mohms à 8A, 4,5V	1,5V à 250µA	36 nC @ 4.5 V	±8V	2694 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
AO4407A MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	60 946 En stock	1 : 1,05000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,26623 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	12 A (Ta)	6V, 20V	11mohms à 12A, 20V	3V à 250µA	39 nC @ 10 V	±25V	2600 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS9431A MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC onsemi	30 183 En stock	1 : 1,06000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,25647 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	130mohms à 3,5A, 4,5V	1V à 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF7205TRPBF MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Infineon Technologies	46 881 En stock	1 : 1,07000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,26075 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4,6 A (Ta)	4,5V, 10V	70mohms à 4,6A, 10V	3V à 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	870 pF @ 10 V	-	2,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SO	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
NDS9407 MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC onsemi	7 859 En stock	1 : 1,08000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,25936 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	150mohms à 3A, 10V	3V à 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	732 pF @ 30 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI4401DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Vishay Siliconix	51 633 En stock	1 : 1,14000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,29724 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	16,1 A (Tc)	4,5V, 10V	15mohms à 10,2A, 10V	2,5V à 250µA	95 nC @ 10 V	±20V	3007 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta), 6,3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
DMP6023LSS-13 MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO Diodes Incorporated	6 880 En stock	1 : 1,14000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,29781 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	6,6 A (Ta)	4,5V, 10V	25mohms à 5A, 10V	3V à 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	1,2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SO	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC onsemi	0 En stock 145 125 Marketplace Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 1,16000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,28499 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	4,1 A (Ta)	6V, 10V	67mohms à 4,1A, 10V	4V à 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 75 V	-	2,5W (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS4672A MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC onsemi	21 623 En stock	1 : 1,16000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,28404 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	11 A (Ta)	4,5V	13mohms à 11A, 4,5V	2V à 250µA	49 nC @ 4.5 V	±12V	4766 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI4174DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Vishay Siliconix	8 162 En stock	1 : 1,18000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,30855 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	17 A (Tc)	4,5V, 10V	9,5mohms à 10A, 10V	2,2V à 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	985 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI4056DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Vishay Siliconix	576 En stock	1 : 1,18000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,30855 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	11,1 A (Tc)	4,5V, 10V	23mohms à 15A, 10V	2,8V à 250µA	29.5 nC @ 10 V	±20V	900 pF @ 50 V	-	2,5W (Ta), 5,7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
TSM150P04LCS RLG MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP Taiwan Semiconductor Corporation	32 579 En stock	1 : 1,19000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,31216 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	22 A (Tc)	4,5V, 10V	15mohms à 9A, 10V	2,5V à 250µA	48 nC @ 10 V	±20V	2783 pF @ 20 V	-	12,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOP	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
AO4421 MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	141 186 En stock	1 : 1,20000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,30757 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	6,2 A (Ta)	4,5V, 10V	40mohms à 6,2A, 10V	3V à 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 30 V	-	3,1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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