8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) FET, MOSFET simples

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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
30 415
En stock
1 : 0,68000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11993 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12 A (Ta)
4,5V, 10V
11mohms à 12A, 10V
2,3V à 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
542 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8 099
En stock
1 : 0,73000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17225 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta)
4,5V, 10V
17mohms à 11A, 10V
2,3V à 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF8707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
14 924
En stock
1 : 0,77000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,17667 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Date de dernière disponibilité
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta)
4,5V, 10V
11,9mohms à 11A, 10V
2,35V à 25µA
9.3 nC @ 4.5 V
±20V
760 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF9393TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
12 712
En stock
1 : 0,82000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,18766 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
9,2 A (Ta)
10V, 20V
13,3mohms à 9,2A, 20V
2,4V à 25µA
38 nC @ 10 V
±25V
1110 pF @ 25 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
27 658
En stock
57 500
Usine
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,20629 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
9,2 A (Ta)
4,5V, 10V
18mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
14 649
En stock
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,19411 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
14 A (Ta)
4,5V, 10V
8,7mohms à 14A, 10V
2,35V à 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
155 560
En stock
1 : 0,86000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20777 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
10 A (Ta)
4,5V, 10V
10mohms à 10A, 10V
3V à 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1,7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Infineon Technologies
7 892
En stock
1 : 0,86000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,20152 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
10mohms à 13A, 10V
2,25V à 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
27 364
En stock
1 : 0,96000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,22935 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
18 A (Ta)
4,5V, 10V
4,8mohms à 18A, 10V
2,35V à 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
10 690
En stock
1 : 1,03000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,26169 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5,3 A (Ta)
4,5V, 10V
50mohms à 5,3A, 10V
3V à 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
528 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
55 677
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25929 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12 A (Ta)
6V, 20V
11mohms à 12A, 20V
3V à 250µA
39 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 15 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
10 433
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,26562 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
8,8 A (Ta)
4,5V, 10V
20mohms à 8,8A, 10V
3V à 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
19 327
En stock
1 : 1,06000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,26531 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
14 A (Ta)
4,5V, 10V
11,5mohms à 14A, 10V
3V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI9407BDY-T1-GE3
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Vishay Siliconix
24 578
En stock
1 : 1,11000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,28770 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
25,3 A (Tc)
4,5V, 10V
6,2mohms à 12A, 10V
2,5V à 250µA
167 nC @ 10 V
±25V
6630 pF @ 15 V
-
6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
onsemi
9 830
En stock
1 : 1,11000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,28752 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
15 A (Ta)
4,5V, 10V
6mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2525 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI9407BDY-T1-GE3
SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Vishay Siliconix
9 283
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,28952 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
13,4 A (Tc)
1,8V, 4,5V
15,5mohms à 9A, 4,5V
1V à 250µA
90 nC @ 8 V
±8V
2380 pF @ 10 V
-
5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
12 193
En stock
1 : 1,13000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,27509 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4,6 A (Ta)
4,5V, 10V
70mohms à 4,6A, 10V
3V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8 SO
DMP4015SSS-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
5 565
En stock
1 : 1,14000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,29779 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
9,1 A (Ta)
4,5V, 10V
11mohms à 9,8 A, 10V
2,5V à 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1,45W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8 SO
DMP6023LSS-13
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Diodes Incorporated
5 181
En stock
1 : 1,17000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,30476 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6,6 A (Ta)
4,5V, 10V
25mohms à 5A, 10V
3V à 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1,2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
AO4828
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
289 143
En stock
1 : 1,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29984 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6,2 A (Ta)
4,5V, 10V
40mohms à 6,2A, 10V
3V à 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
25 216
En stock
1 : 1,20000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,29503 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
8 A (Tc)
4,5V, 10V
20mohms à 8A, 10V
1V à 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI9407BDY-T1-GE3
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
3 771
En stock
1 : 1,20000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,31358 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
16,1 A (Tc)
4,5V, 10V
15mohms à 10,2A, 10V
2,5V à 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 6,3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS6670A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
7 151
En stock
1 : 1,25000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,32955 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
8mohms à 13A, 10V
3V à 250µA
30 nC @ 5 V
±20V
2220 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
68 886
En stock
1 : 1,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32331 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
10 A (Ta)
4,5V, 10V
15mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 20 V
-
1,7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
14 673
En stock
1 : 1,28000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,33584 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta)
4,5V, 10V
13mohms à 11A, 10V
3V à 250µA
62 nC @ 10 V
±25V
2470 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Affichage de
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8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.