


FDP047N10 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDP047N10-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDP047N10 |
Description | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15265 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,7mohms à 75A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | 40 | DMTH10H005LCT-ND | 3,02000 € | Similaire |
| IPP048N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 131 | IPP048N12N3GXKSA1-ND | 4,48000 € | Similaire |
| IRF100B201 | Infineon Technologies | 0 | IRF100B201-ND | 2,63000 € | Similaire |
| STP150N10F7 | STMicroelectronics | 1 048 | 497-14570-5-ND | 3,35000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,61000 € | 4,61 € |
| 50 | 2,41700 € | 120,85 € |
| 100 | 2,20550 € | 220,55 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,61000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,53200 € |

