Name: IPP048N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP048N12N3GXKSA1-ND
Price: 6.336 EUR
Availability: InStock

Canal N 120 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1

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IPP048N12N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP048N12N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP048N12N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP048N12N3GXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 230µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 182 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF @ 60 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPP048
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,8mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,28000 €	5,28 €
50	2,73620 €	136,81 €
100	2,49060 €	249,06 €
500	2,06062 €	1 030,31 €
1 000	1,92257 €	1 922,57 €
2 000	1,80655 €	3 613,10 €
5 000	1,68115 €	8 405,75 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.