Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 0.636 EUR
Availability: InStock

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FDN352AP
Numéro de produit DigiKey	FDN352APTR-ND - Bande et bobine FDN352APCT-ND - Bande coupée (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN352AP
Description	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 1,3 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDN352AP Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 1,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	150 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	FDN352

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