Name: FDN308P
Brand: onsemi
SKU: FDN308PFSTR-ND
Price: 0.684 EUR
Availability: OutOfStock

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FDN308P
Numéro de produit DigiKey	FDN308PFSTR-ND - Bande et bobine FDN308PFSCT-ND - Bande coupée (CT) FDN308PFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN308P
Description	MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	125mohms à 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	341 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	FDN308

Prix unitaire sans TVA:	0,57000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,68400 €

FDN308P