Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 4.212 EUR
Availability: InStock

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FDMS86163P
Numéro de produit DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Bande et bobine FDMS86163PCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86163P
Description	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 7,9 A (Ta), 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMS86163P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 59 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4085 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,9 A (Ta), 50 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMS86163
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 7,9A, 10V