Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 0.852 EUR
Availability: InStock

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FDC658AP
Numéro de produit DigiKey	FDC658APTR-ND - Bande et bobine FDC658APCT-ND - Bande coupée (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC658AP
Description	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 4 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC658AP Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.1 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	470 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,6W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SuperSOT™-6
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	FDC658

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