Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 0.972 EUR
Availability: InStock

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FDC658AP
Numéro de produit DigiKey	FDC658APTR-ND - Bande et bobine FDC658APCT-ND - Bande coupée (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC658AP
Description	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 4 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC658AP Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.1 nC @ 5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 470 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SuperSOT™-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Ta)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDC658
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 4A, 10V