4 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
AOSS32338C MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	33 567 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08326 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	50mohms à 4A, 10V	1,5V à 250µA	16 nC @ 10 V	±12V	340 pF @ 15 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
DMG3418L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	3 990 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08658 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	60mohms à 4A, 10V	1,5V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±12V	464.3 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3415U-7 MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	4 374 En stock	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08947 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	39mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±8V	294 pF @ 10 V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3402L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	467 208 En stock	1 : 0,43000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09477 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	52mohms à 4A, 10V	1,4V à 250µA	11.7 nC @ 10 V	±12V	464 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3401A MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	57 711 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09828 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	44mohms à 4,3A, 10V	1,3V à 250µA	12.2 nC @ 4.5 V	±12V	1200 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
AO3402 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	40 472 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09828 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	55mohms à 4A, 10V	1,4V à 250µA	4.34 nC @ 4.5 V	±12V	390 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
FDC658AP MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 onsemi	23 246 En stock	1 : 0,81000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,18073 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4,5V, 10V	50mohms à 4A, 10V	3V à 250µA	8.1 nC @ 5 V	±25V	470 pF @ 15 V	-	1,6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SuperSOT™-6	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
RUR040N02TL MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Rohm Semiconductor	21 472 En stock	1 : 0,96000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,23775 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	35mohms à 4A, 4,5V	1,3V à 1mA	8 nC @ 4.5 V	±10V	680 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TSMT3	SC-96
FDC658P MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 onsemi	10 587 En stock	1 : 1,10000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,26227 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	10V	50mohms à 4A, 10V	3V à 250µA	12 nC @ 5 V	±20V	750 pF @ 15 V	-	1,6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SuperSOT™-6	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
NDT3055 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	10 616 En stock	1 : 1,41000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,33819 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	4 A (Ta)	10V	100mohms à 4A, 10V	4V à 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 30 V	-	3W (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
NDT3055L MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	17 851 En stock	1 : 1,49000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,36098 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	4 A (Ta)	4,5V, 10V	100mohms à 4A, 10V	2V à 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	345 pF @ 25 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
EPC8010 GANFET N-CH 100V 4A DIE EPC	19 167 En stock	1 : 2,80000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,85956 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	100 V	4 A (Ta)	5V	160mohms à 500mA, 5V	2,5V à 250µA	0.48 nC @ 5 V	+6V, -4V	55 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
SI7846DP-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	22 735 En stock	1 : 3,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 1,02857 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	4 A (Ta)	10V	50mohms à 5A, 10V	4,5V à 250µA	36 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
EPC8004 GANFET N-CH 40V 4A DIE EPC	10 188 En stock	1 : 3,90000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 1,27509 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	40 V	4 A (Ta)	5V	110mohms à 500mA, 5V	2,5V à 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
EPC8009 GANFET N-CH 65V 4A DIE EPC	8 953 En stock	1 : 4,19000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 1,39171 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	65 V	4 A (Ta)	5V	130mohms à 500mA, 5V	2,5V à 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 32.5 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
MMFTP3401 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3 Diotec Semiconductor	32 174 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05152 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	65mohms à 4A, 10V	1,3V à 250µA	-	±12V	954 pF @ 0 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3415_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	13 060 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05029 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	57mohms à 4A, 4,5V	1,2V à 250µA	18 nC @ 4.5 V	±12V	756 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2056U-13 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	8 321 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,05435 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	38mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	4.3 nC @ 4.5 V	±8V	339 pF @ 10 V	-	940mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K376R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	36 449 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06911 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	56mohms à 2 A, 4,5V	1V à 1mA	2.2 nC @ 4.5 V	+12V, -8V	200 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J374R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	6 137 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07055 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mohms à 3A, 10V	2V à 100µA	5.9 nC @ 10 V	+10V, -20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J331R,LF MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	82 096 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07199 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	55mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	10.4 nC @ 4.5 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	34 820 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07199 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mohms à 3A, 10V	2V à 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J340R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	16 997 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07484 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	45mohms à 4A, 10V	2,2V à 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	492 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K345R,LF MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	14 808 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08603 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	33mohms à 4A, 4,5V	1V à 1mA	3.6 nC @ 4.5 V	±8V	410 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
DMP1045U-7 MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 Diodes Incorporated	26 198 En stock	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08947 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	12 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	31mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	15.8 nC @ 4.5 V	±8V	1357 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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