4 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
SSM3K376R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	34 238 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07016 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	56mohms à 2 A, 4,5V	1V à 1mA	2.2 nC @ 4.5 V	+12V, -8V	200 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	138 008 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07308 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mohms à 3A, 10V	2V à 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
AOSS32338C MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	20 082 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08129 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	50mohms à 4A, 10V	1,5V à 250µA	16 nC @ 10 V	±12V	340 pF @ 15 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
DMN2056U-7 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	122 163 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08509 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	38mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	4.3 nC @ 4.5 V	±8V	339 pF @ 10 V	-	940mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3402L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	224 684 En stock 4 755 000 Usine	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07308 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	52mohms à 4A, 10V	1,4V à 250µA	11.7 nC @ 10 V	±12V	464 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3401A MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	636 508 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09578 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	44mohms à 4,3A, 10V	1,3V à 250µA	12.2 nC @ 4.5 V	±12V	1200 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
AO3402 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	12 711 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09578 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	55mohms à 4A, 10V	1,4V à 250µA	4.34 nC @ 4.5 V	±12V	390 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
FDC658AP MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 onsemi	15 319 En stock	1 : 0,84000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,20240 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4,5V, 10V	50mohms à 4A, 10V	3V à 250µA	8.1 nC @ 5 V	±25V	470 pF @ 15 V	-	1,6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SuperSOT™-6	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
RUR040N02TL MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Rohm Semiconductor	21 599 En stock	1 : 1,01000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,24884 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	35mohms à 4A, 4,5V	1,3V à 1mA	8 nC @ 4.5 V	±10V	680 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TSMT3	SC-96
NDT3055 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	12 643 En stock	1 : 1,38000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,35230 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	4 A (Ta)	10V	100mohms à 4A, 10V	4V à 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 30 V	-	3W (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
NDT3055L MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	16 320 En stock 40 000 Usine	1 : 1,46000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,37601 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	4 A (Ta)	4,5V, 10V	100mohms à 4A, 10V	2V à 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	345 pF @ 25 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
EPC8010 GANFET N-CH 100V 4A DIE EPC	9 465 En stock	1 : 2,93000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,90421 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	100 V	4 A (Ta)	5V	160mohms à 500mA, 5V	2,5V à 250µA	0.48 nC @ 5 V	+6V, -4V	55 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
EPC8004 GANFET N-CH 40V 4A DIE EPC	5 189 En stock	1 : 4,08000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 1,41580 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	40 V	4 A (Ta)	5V	110mohms à 500mA, 5V	2,5V à 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
EPC8009 GANFET N-CH 65V 4A DIE EPC	6 027 En stock	1 : 4,38000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 1,55857 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	65 V	4 A (Ta)	5V	130mohms à 500mA, 5V	2,5V à 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 32.5 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
2SK1835-E MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P Renesas Electronics Corporation	2 482 En stock	1 : 11,13000 € Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	1500 V	4 A (Ta)	15V	7ohms à 2A, 15V	-	-	±20V	1700 pF @ 10 V	-	125W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-3P	TO-3P-3, SC-65-3
MMFTP3401 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3 Diotec Semiconductor	3 006 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05018 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	65mohms à 4A, 10V	1,3V à 250µA	-	±12V	954 pF @ 0 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3415_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	18 943 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06653 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	57mohms à 4A, 4,5V	1,2V à 250µA	18 nC @ 4.5 V	±12V	756 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J374R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12 918 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07163 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mohms à 3A, 10V	2V à 100µA	5.9 nC @ 10 V	+10V, -20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J331R,LF MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12 028 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07308 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	55mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	10.4 nC @ 4.5 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K324R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	2 396 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07308 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	55mohms à 4A, 4,5V	-	-	±12V	190 pF @ 30 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J340R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	18 700 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07598 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	45mohms à 4A, 10V	2,2V à 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	492 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
AO3434A MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	32 386 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07545 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	52mohms à 4A, 10V	1,5V à 250µA	10 nC @ 10 V	±12V	245 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
DMG3418L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	41 584 En stock 324 000 Usine	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07888 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	2,5V, 10V	60mohms à 4A, 10V	1,5V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±12V	464.3 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K345R,LF MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	8 157 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08734 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	33mohms à 4A, 4,5V	1V à 1mA	3.6 nC @ 4.5 V	±8V	410 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
DMG3415U-7 MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	24 940 En stock	1 : 0,42000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08158 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	39mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±8V	294 pF @ 10 V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.

4 A (Ta) FET, MOSFET simples

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