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Fiche technique
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Canal P 20 V 4 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface TSOT-23-6
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FDC642P-F085P

Numéro de produit DigiKey
FDC642P-F085P-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FDC642P-F085P
Description
MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 4 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface TSOT-23-6
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FDC642P-F085P Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
PowerTrench®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
65mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
630 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TSOT-23-6
Boîtier
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC642
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Obsolète
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