FCH25N60N onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FCH25N60N
cms-digikey-product-number	FCH25N60NOS-ND
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FCH25N60N
cms-description	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 600 V 25 A (Tc) 216W (Tc) Trou traversant TO-247-3
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	FCH25N60N Modèles

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cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SupreMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	126mohms à 12,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3352 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	216W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	FCH25N60