Name: SCT3080ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3080ALGC11-ND
Price: 7.296 EUR
Availability: InStock

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SCT3080ALGC11
Numéro de produit DigiKey	SCT3080ALGC11-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3080ALGC11
Description	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	104mohms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	571 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	134W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247N
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCT3080

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,08000 €	6,08 €
30	5,37667 €	161,30 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.