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SIHG33N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG33N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG33N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 32,4 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 173 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4040 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 313W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 105mohms à 16,5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT38N60BC6-ND | 5,52433 € | Similaire |
| FCH104N60F-F085 | onsemi | 411 | FCH104N60F-F085OS-ND | 6,36000 € | Similaire |
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 374 | IPW60R099P6XKSA1-ND | 4,97000 € | Similaire |
| IXTH32N65X | IXYS | 0 | IXTH32N65X-ND | 5,39100 € | Similaire |
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | 482 | 448-SPW32N50C3FKSA1-ND | 8,10000 € | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | 2,91516 € | 1 457,58 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,91516 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,49819 € |
