IXFA30N60X est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 3 166
Prix unitaire : 3,62000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 8 658
Prix unitaire : 3,26000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 3 386
Prix unitaire : 3,85000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 811
Prix unitaire : 4,11000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 4,26000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,62514 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 92
Prix unitaire : 5,09000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,50691 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,72740 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 520
Prix unitaire : 3,90000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,62715 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 5,77000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 2,29960 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 2,29960 €
Fiche technique
TO-263AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXFA30N60X

Numéro de produit DigiKey
IXFA30N60X-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXFA30N60X
Description
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 30 A (Tc) 500W (Tc) Montage en surface TO-263AA (IXFA)
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
155mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2270 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263AA (IXFA)
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.