Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
SIHB22N60E-GE3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB22N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB22N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB22N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1920 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
Signaler une erreur dans les informations sur le produit
Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (22)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60E-E3-ND | 1,57232 € | Équivalent paramétrique |
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 410 | SIHB22N60ET1-GE3CT-ND | 4,11000 € | Équivalent paramétrique |
| SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60ET5-GE3-ND | 1,60115 € | Équivalent paramétrique |
| AOB20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 365 | 785-1247-1-ND | 4,11000 € | Similaire |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9 892 | 785-1248-1-ND | 4,82000 € | Similaire |
Afficher plus
En stock: 0
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,28000 € | 4,28 € |
| 50 | 2,22620 € | 111,31 € |
| 100 | 2,02740 € | 202,74 € |
| 500 | 1,82388 € | 911,94 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,28000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,13600 € |
Les composants suivants peuvent vous intéresser
1 Articles
