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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB21N65EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2322 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,36000 € | 5,36 € |
| 50 | 2,82620 € | 141,31 € |
| 100 | 2,58170 € | 258,17 € |
| 500 | 2,15328 € | 1 076,64 € |
| 1 000 | 2,01577 € | 2 015,77 € |
| 2 000 | 1,93990 € | 3 879,80 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 5,36000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 6,43200 € |
