Name: ISZ56DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ56DP15LMATMA1TR-ND
Price: 1.788 EUR
Availability: InStock

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ISZ56DP15LMATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISZ56DP15LMATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISZ56DP15LMATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISZ56DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISZ56DP15LMATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 1,35A (Ta), 6,7A (Tc) 2,5W (Ta), 62,5W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8 FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISZ56DP15LMATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 724µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 75 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 62,5W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,35A (Ta), 6,7A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8 FL
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 560mohms à 5A, 10V	Numéro de produit de base ISZ56DP15