Name: IRLL024NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL024NPBFTR-ND
Price: 1.032 EUR
Availability: InStock

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IRLL024NTRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLL024NPBFTR-ND - Bande et bobine IRLL024NPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLL024NPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLL024NTRPBF
Description	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 3,1 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLL024NTRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	510 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IRLL024

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