Name: DMN3032LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LE-13DITR-ND
Price: 0.948 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMN3032LE-13
Numéro de produit DigiKey	DMN3032LE-13DITR-ND - Bande et bobine DMN3032LE-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN3032LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3032LE-13
Description	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 5,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN3032LE-13 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11.3 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 498 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,8W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6 A (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-223-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 3,2A, 10V	Numéro de produit de base DMN3032

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 88 460

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine