Name: IRLL2705TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL2705PBFTR-ND
Price: 1.116 EUR
Availability: InStock

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IRLL2705TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLL2705PBFTR-ND - Bande et bobine IRLL2705PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLL2705PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLL2705TRPBF
Description	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 3,8 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLL2705TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	870 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IRLL2705