IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

IPB90N06S404ATMA2 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

onsemi

En stock: 16 133

Prix unitaire : 4,05938 €

Similaire

onsemi

En stock: 162

Prix unitaire : 3,25000 €

Similaire

Nexperia USA Inc.

En stock: 3 814

Prix unitaire : 4,55000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB90N06S404ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPB90N06S404ATMA2TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB90N06S404ATMA2
Description	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 90 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB90N06S404ATMA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 90µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB90N06