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FDB029N06 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDB029N06TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDB029N06 |
Description | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 120 A (Tc) 231W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 151 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9815 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 231W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 75A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NTBGS2D5N06C | onsemi | 796 | 488-NTBGS2D5N06CCT-ND | 5,76000 € | Recommandation fabricant |
| IPB029N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 2 461 | IPB029N06N3GATMA1CT-ND | 3,11000 € | Similaire |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 3 727 | IPB037N06N3GATMA1CT-ND | 2,81000 € | Similaire |
| IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | 1 000 | 448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND | 3,76000 € | Similaire |
| PSMN1R7-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 1 147 | 1727-7106-1-ND | 4,16000 € | Similaire |
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