IPW65R099CFD7AXKSA1
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IMW65R107M1HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMW65R107M1HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMW65R107M1HXKSA1
Description
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMW65R107M1HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
142mohms à 8,9A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,7V à 3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
496 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-41
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,48000 €5,48 €
303,12933 €93,88 €
1202,61258 €313,51 €
5102,26563 €1 155,47 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:5,48000 €
Prix unitaire avec TVA:6,57600 €