Name: IMW65R040M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND
Price: 11.4 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40

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IMW65R040M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW65R040M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW65R040M2HXKSA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 4,6mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 18 V
Série CoolSiC™ Gen 2	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 997 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 172W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-40
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 46 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Numéro de produit de base IMW65R040
Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 22,9A, 20V

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	9,50000 €	9,50 €
30	5,56633 €	166,99 €
120	4,70150 €	564,18 €
510	4,06808 €	2 074,72 €
1 020	3,83709 €	3 913,83 €
2 010	3,64684 €	7 330,15 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.