Name: BSZ160N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.148 EUR
Availability: InStock

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BSZ160N10NS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ160N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ160N10NS3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ160N10NS3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	16mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 12µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSZ160