Name: BSC060N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC060N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 3.324 EUR
Availability: InStock

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BSC060N10NS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC060N10NS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC060N10NS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC060N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC060N10NS3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC060N10NS3GATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 90µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4900 pF @ 50 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base BSC060
Rds On (max.) à Id, Vgs 6mohms à 50A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (7)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
CSD19531Q5A	Texas Instruments	238	296-41232-1-ND	2,13000 €	Similaire
DI100N10PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4 580	4878-DI100N10PQ-AQCT-ND	2,87000 €	Similaire
FDMS86101	onsemi	14 257	FDMS86101CT-ND	2,73000 €	Similaire
FDMS86101DC	onsemi	29 328	FDMS86101DCCT-ND	4,81000 €	Similaire
FDWS86369-F085	onsemi	1 983	FDWS86369-F085CT-ND	2,06000 €	Similaire

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