Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 1.776 EUR
Availability: InStock

Canal N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8

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BSZ0901NSATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ0901NSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ0901NSATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ0901NSATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2850 pF @ 15 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ0901
Rds On (max.) à Id, Vgs 2mohms à 20A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	0	BSZ019N03LSATMA1CT-ND	2,10000 €	Recommandation fabricant
FDMS8820	onsemi	2 176	FDMS8820CT-ND	1,69000 €	Similaire

En stock: 1 012

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Date de dernière disponibilité : 30/09/2026

Quantité

Tous les prix sont en EUR

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