Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

BSZ0901NSATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ0901NSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ0901NSATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ0901NSATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2850 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSZ0901

Prix unitaire sans TVA:	1,35000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,62000 €

BSZ0901NSATMA1